光敏三极管，也被称为光敏晶体管或光敏电阻器，是一种基于光电效应的电子元件。它由三个区域组成：基发射区和集电区。基区是控制区域，发射区是光电转换区域，集电区是输出区域。当光照射到发射区时，光子的能量被转化为电子能量，从而改变了基区的电流，进而影响整个器件的工作状态。 亮度引，直插LED的亮度不同，价格不同。灯杯：一般亮度为60-70lm；球泡灯：一般亮度为80-90lm。1W红光，亮度一般为30-40lm；1W绿光，亮度一般为60-80lm；1W黄光，亮度一般为30-50lm；1W蓝光，亮度一般为20-30lm。注：1W亮度为60-110lm；3W亮度很高达到240lm；5W-300W是集成芯片，用串/并联封装，主要看多少电流，电压，几串几并。LED透镜：一次透镜一般用PMMA、PC、光学玻璃、硅胶（软硅胶，硬硅胶）等材料。角度越大出光效能越高，用小角度的LED透镜，光线要射得远的。波长，波长一致的直插LED，颜色一致，如要求颜色一致，则价格高。
光敏三极管与光敏场效应管均是用于光信号检测的器件，但光敏场效应管的性能更优，更适用于对光信号的敏感度、线性度、光谱响应范围、输出阻抗和体积要求较高的场合。光敏三极管和光敏场效应管在结构和性能上的差异，使得它们在光信号检测领域扮演着不同的角色。 DF-200A正向压降测试仪是专为测量包括二极管、MOS管、IGBT、毫欧电阻等电子器件正向压降而设计，分为01-1A、1~1A、1~10A、10~100A四个档位，测量范围更广。图c)是光敏三极管的符号。图d)表示一个硅NPN型磁敏三极管。晶闸管、单结晶体管、场效应管的符号;晶闸管是晶体闸流管或可控硅整流器的简称,常用的有单向晶闸管、双向晶闸管和光控晶闸管,它们的符号分别为图14中的(a)(b)(c)。晶闸管的文字符号是“VS”。光敏三极管不是用导通电阻参数来表达的，光敏电阻是用亮电阻和暗电阻来表达的。光敏三极管的主要参数是光电流IL和暗电流ID。三极管在线性区是恒流器件，没有固定的电阻，在饱和导通时存在饱和压降，也没有固定的电阻。场效应管有恒电阻工作区，要获得可控电阻，可使用场效应管来实现。
光敏三极管的优越性在于它能够响应光辐射，形成光电流。当PN结受到光辐射时，会产生光生电流，该电流从基极进入发射极，并在集电极回路中放大β倍，形成信号电流。这种电流放大作用使得光敏三极管在光电转换方面具有显著优势。不同材料制成的光敏三极管具有不同的光谱特性，这意味着它们能够响应不同波长的光。 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当具有光敏特性的PN结受到光辐射时，形成光电流，由此产生的光生电流由基极进入发射极，从而在集电极回路中得到一个放大了相当于β倍的信号电流。不同材料制成的光敏三极管具有不同的光谱特性，与光敏二极管相比，具有很大的光电流放大作用，即很高的灵敏度。
光敏三极管(PhotoTransister)又称之为光电三极管，它的作用是将光信号转换为电信号提供给电路，是一种光电传感器。最普遍的外形。罐形封闭(Canseal)之光敏三极管多半将半导体晶方装定在TO-18或TO-5之脚座后，利用附有玻璃之凸透镜及单纯之玻璃窗口之金属罩封闭成密不透气状态。揭开光敏传感器（光敏三极管）的工作原理光敏元件感生电流的奥秘，首先源于光与半导体材料的相互作用。基础的光电效应原理包括自发辐射、受激辐射和受激吸收，它们如同光学世界的密码，揭示了光与电子世界的转换过程。想象一下半导体内的电子世界，如硅或锗，被高能带和低能带划分为两个阵营。光敏三极管，又称光电三极管，是一种特殊的三极管，它能够感应光线，并根据光线的强弱，改变其导通状态。光敏三极管通常由一个硅晶体基底、一个光敏层和一个电极构成。当光照射到光敏层时，光敏层内的电子被激活，引起电荷平衡破坏，使光敏层内电荷密度发生变化，从而改变三极管的导通状态。
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